NTD4906N-1Gの技術仕様
onsemi - NTD4906N-1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTD4906N-1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1932 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.3A (Ta), 54A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTD49 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTD4906N-1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTD4906N-1G | NTD4904N-1G | NTD4905NT4G | NTD4906N-35G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1932 pF @ 15 V | 3052 pF @ 15 V | 2340 pF @ 15 V | 1932 pF @ 15 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 電力消費（最大） | 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) | - | 1.4W (Ta), 44W (Tc) | 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.3A (Ta), 54A (Tc) | 13A (Ta), 79A (Tc) | 12A (Ta), 67A (Tc) | 10.3A (Ta), 54A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | NTD49 | NTD49 | NTD49 | NTD49 |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | I-PAK | DPAK | I-Pak |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5mOhm @ 30A, 10V | 3.7mOhm @ 30A, 10V | 4.5mOhm @ 30A, 10V | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
NTD4906N-1G - onsemiのNTD4906N-1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTD4904N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAKNTD4905NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 12A/67A DPAKNTD4906N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAKNTD4906NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4904N MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4904NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 13A/79A DPAKNTD4905AMI Semiconductor/onsemiNTD4906NAT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAKNTD4906N-1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4906NT4Honsemi30 V, 54 A, SINGLE N-CHANNEL, DPNTD4906NAT4HonsemiNTD4906N - 30V, 54A, N-CHANNELNTD4904N-35G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4906NT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4904NAMI Semiconductor/onsemiNTD4906NAMI Semiconductor/onsemiNTD4906NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAKNTD4904N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 13A/79A IPAKNTD4906NAS1AMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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