NTD4858NT4Gの技術仕様
onsemi - NTD4858NT4G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTD4858NT4G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.2mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1563 pF @ 12 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19.2 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.2A (Ta), 73A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTD4858 |
右側の三つのパーツはonsemi NTD4858NT4Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTD4858NT4G | NTD4860NAT4G | NTD4857NT4G | NTD4860NA-1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 25 V | 25 V | 25 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1563 pF @ 12 V | 1308 pF @ 12 V | 1960 pF @ 12 V | 1308 pF @ 12 V |
| 基本製品番号 | NTD4858 | NTD48 | NTD48 | NTD48 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.2mOhm @ 30A, 10V | 7.5mOhm @ 30A, 10V | 5.7mOhm @ 30A, 10V | 7.5mOhm @ 30A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19.2 nC @ 4.5 V | 16.5 nC @ 4.5 V | 24 nC @ 4.5 V | 21.8 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | DPAK | I-PAK |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) | 1.28W (Ta), 50W (Tc) | 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) | 1.28W (Ta), 50W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.2A (Ta), 73A (Tc) | 10.4A (Ta), 65A (Tc) | 12A (Ta), 78A (Tc) | 10.4A (Ta), 65A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
NTD4858NT4G - onsemiのNTD4858NT4G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTD4860NAT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAKNTD4857NT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
NTD4863NAT4G TO252AMI Semiconductor/onsemiNTD4858N MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4860NA-1GonsemiMOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAKNTD4856NT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAKNTD4858N-1GonsemiMOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAKNTD4863NAMI Semiconductor/onsemiNTD4860N MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4860NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4856NT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4858NAMI Semiconductor/onsemiNTD4856NAMI Semiconductor/onsemiNTD4863NAT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAKNTD4856NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4860NT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAKNTD4857NAMI Semiconductor/onsemiNTD4858NAT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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