NTD4809NT4Gの技術仕様
onsemi - NTD4809NT4G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTD4809NT4G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Ta), 52W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1456 pF @ 12 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 11.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 11.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
右側の三つのパーツはonsemi NTD4809NT4Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTD4809NT4G | NTD4809NHT4G | NTD4813N-1G | NTD4809N-35G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Ta), 52W (Tc) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) | 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) | 1.4W (Ta), 52W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1456 pF @ 12 V | 2155 pF @ 12 V | 860 pF @ 12 V | 1456 pF @ 12 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.6A (Ta), 58A (Tc) | 9.6A (Ta), 58A (Tc) | 7.6A (Ta), 40A (Tc) | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 11.5 V | 15 nC @ 4.5 V | 7.9 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 11.5V | 4.5V, 11.5V | 4.5V, 11.5V | 4.5V, 11.5V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 30A, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V | 13mOhm @ 30A, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | I-PAK | I-Pak |
NTD4809NHT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAKNTD4813N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAKNTD4809NHAMI Semiconductor/onsemiNTD4809N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAKNTD4810NHT4G.AMI Semiconductor/onsemiNTD4809NHT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4810NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAKNTD4810NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4810N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAKNTD4809NH-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAKNTD4809NH-35G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4809NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4809NAT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAKNTD4809NHGAMI Semiconductor/onsemiNTD4810NAMI Semiconductor/onsemiNTD4809N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAKNTD4810NHT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAKNTD4813N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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