NTD4806N-35Gの技術仕様
onsemi - NTD4806N-35G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTD4806N-35G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Ta), 68W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2142 pF @ 12 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 11.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTD48 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTD4806N-35Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTD4806N-35G | NTD4806NA-35G | NTD4808NT4G | NTD4808N-35G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 30A, 10V | 6mOhm @ 30A, 10V | 8mOhm @ 30A, 10V | 8mOhm @ 30A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak | TO-251-3 Stub Leads, IPak | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2142 pF @ 12 V | 2142 pF @ 12 V | 1538 pF @ 12 V | 1538 pF @ 12 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | 10A (Ta), 63A (Tc) | 10A (Ta), 63A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Ta), 68W (Tc) | - | 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) | 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 11.5V | - | 4.5V, 11.5V | 4.5V, 11.5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23 nC @ 4.5 V | 23 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 4.5 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 基本製品番号 | NTD48 | NTD48 | NTD48 | NTD48 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak | I-Pak | DPAK | I-Pak |
NTD4806N-35G - onsemiのNTD4806N-35G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTD4806NA-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAKNTD4808NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAKNTD4804NT4G 4804NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4808N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAKNTD4805NAMI Semiconductor/onsemiNTD4806NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAKNTD4806NHGAMI Semiconductor/onsemiNTD4805AMI Semiconductor/onsemiNTD4805NGAMI Semiconductor/onsemi
NTD4808N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAKNTD4808NAMI Semiconductor/onsemiNTD4805N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAKNTD4806N-1HAMI Semiconductor/onsemiNTD4806NAMI Semiconductor/onsemiNTD4805NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAKNTD4806N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAKNTD4806NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4806NAT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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