NTD360N65S3Hの技術仕様
onsemi - NTD360N65S3H技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTD360N65S3H仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 700µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) | |
| シリーズ | SuperFET® III | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 83W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 916 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
右側の三つのパーツはonsemi NTD360N65S3Hと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTD360N65S3H | NTD40N03R-1G | NTD30N02T4G | NTD3813NT4G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) | I-PAK | DPAK | DPAK |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | SuperFET® III | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 5A, 10V | 16.5mOhm @ 10A, 10V | 14.5mOhm @ 30A, 10V | 8.75mOhm @ 15A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 25 V | 24 V | 16 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17.5 nC @ 10 V | 5.78 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V | 12.8 nC @ 4.5 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 916 pF @ 400 V | 584 pF @ 20 V | 1000 pF @ 20 V | 963 pF @ 12 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 83W (Tc) | 1.5W (Ta), 50W (Tc) | 75W (Tj) | 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) | 7.8A (Ta), 32A (Tc) | 30A (Ta) | 9.6A (Ta), 51A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 700µA | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±16V |
NTD360N65S3H - onsemiのNTD360N65S3H PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTD32N06T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD32N06LT4AMI Semiconductor/onsemiNTD40N03R-1GonsemiMOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAKNTD32N06L MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD30N02T4GonsemiN-CHANNEL POWER MOSFETNTD3813NT4GonsemiMOSFET N-CH 16V 9.6A/51A DPAKNTD40N03RAMI Semiconductor/onsemi
NTD32N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 32A DPAKNTD3808NT4GonsemiMOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAKNTD40N03RT4onsemiMOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAKNTD30N06T4GAMI Semiconductor/onsemiNTD30N02T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD3817NT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD30N02T4 MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD32N06LT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 32A DPAKNTD32N06T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 32A DPAKNTD40N03R MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD40N03RT4 MOSAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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