NTD12N10-1Gの技術仕様
onsemi - NTD12N10-1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTD12N10-1G仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 165mOhm @ 6A, 10V | |
電力消費(最大) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 550 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Ta) | |
基本製品番号 | NTD12 |
右側の三つのパーツはonsemi NTD12N10-1Gと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | NTD12N10-1G | NTD14N03R-001 | NTD110N02R-001 | NTD12N10G |
メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Ta) | 2.5A (Ta) | 12.5A (Ta), 110A (Tc) | 12A (Ta) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 165mOhm @ 6A, 10V | 95mOhm @ 5A, 10V | 4.6mOhm @ 20A, 10V | 165mOhm @ 6A, 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 550 pF @ 25 V | 115 pF @ 20 V | 3440 pF @ 20 V | 550 pF @ 25 V |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
電力消費(最大) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) | 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) | 1.5W (Ta), 110W (Tc) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
FET特長 | - | - | - | - |
パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | 25 V | 24 V | 100 V |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | I-PAK | I-PAK | DPAK |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
シリーズ | - | - | - | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 10 V | 1.8 nC @ 5 V | 28 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 10 V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
基本製品番号 | NTD12 | NTD14 | NTD110 | NTD12 |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
NTD12N10-1G - onsemiのNTD12N10-1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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