NTB65N02RGの技術仕様
onsemi - NTB65N02RG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTB65N02RG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.2mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1330 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NTB65 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTB65N02RGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTB65N02RG | NTB6412ANT4G | NTB6410ANT4G | NTB6412ANG |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | NTB65 | NTB64 | NTB6410 | NTB64 |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D²PAK | D²PAK | D²PAK |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.5 nC @ 4.5 V | 100 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1330 pF @ 20 V | 3500 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 3500 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.2mOhm @ 30A, 10V | 18.2mOhm @ 58A, 10V | 13mOhm @ 76A, 10V | 18.2mOhm @ 58A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) | 167W (Tc) | 188W (Tc) | 167W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) | 58A (Tc) | 76A (Tc) | 58A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
NTB65N02RG - onsemiのNTB65N02RG PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTB65N02RT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB6412ANT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 58A D2PAKNTB6410ANT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 76A D2PAKNTB6411ANAMI Semiconductor/onsemiNTB6412ANGonsemiMOSFET N-CH 100V 58A D2PAKNTB6412ANAMI Semiconductor/onsemiNTB65N02RT4onsemiMOSFET N-CH 25V 65A D2PAKNTB75N03L09T4onsemiMOSFET N-CH 30V 75A D2PAKNTB75N03AMI Semiconductor/onsemiNTB75N03L09T4GonsemiMOSFET N-CH 30V 75A D2PAKNTB6411ANT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 77A D2PAKNTB6413ANT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 42A D2PAKNTB6413ANGonsemiMOSFET N-CH 100V 42A D2PAKNTB75N03RonsemiMOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAKNTB75N03RGonsemiMOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAKNTB65N02RT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAKNTB75N03L09T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB6413ANAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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