NTB5605Pの技術仕様
onsemi - NTB5605P技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTB5605P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 140mOhm @ 8.5A, 5V | |
| 電力消費（最大） | 88W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1190 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NTB56 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTB5605Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTB5605P | NTB5605PT4G | NTB5405NG | NTB60N06G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 140mOhm @ 8.5A, 5V | 140mOhm @ 8.5A, 5V | 5.8mOhm @ 40A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK | D²PAK | D²PAK | D²PAK |
| 基本製品番号 | NTB56 | NTB5605 | NTB54 | NTB60 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | 5V | 5V, 10V | 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18.5A (Ta) | 18.5A (Ta) | 116A (Tc) | 60A (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1190 pF @ 25 V | 1190 pF @ 25 V | 4000 pF @ 32 V | 3220 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 40 V | 60 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 5 V | 22 nC @ 5 V | 88 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 88W (Tc) | 88W (Tc) | 3W (Ta), 150W (Tc) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
NTB5605P - onsemiのNTB5605P PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTB5860NLT4GVBSEMI
NTB5405NT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB5605PT4GonsemiMOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKNTB5D0N15MCONsemiNTB5405NGonsemiMOSFET N-CH 40V 116A D2PAKNTB60N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 60A D2PAKNTB5411NUTUMCAMI Semiconductor/onsemiNTB5426NVBsemiNTB5426NT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 120A D2PAKNTB5411NT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 80A D2PAKNTB5860NT4GonsemiPOWER MOSFET 60V 169A, SINGLE N-NTB5405NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 116A D2PAKNTB5605P MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB5605PGonsemiMOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKNTB5411NAMI Semiconductor/onsemiNTB5412NT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 60A D2PAKNTB60N06AMI Semiconductor/onsemiNTB60N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 60A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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