NTB25P06T4Gの技術仕様
onsemi - NTB25P06T4G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTB25P06T4G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±15V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 82mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 120W (Tj) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1680 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 27.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NTB25 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NTB25P06T4Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTB25P06T4G | NTB30N06T4G | NTB30N06L | NTB23N03RT4G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 50 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 32 nC @ 5 V | 3.76 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±15V | ±20V | ±15V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK | D²PAK | D²PAK | D²PAK |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 27.5A (Ta) | 27A (Ta) | 30A (Ta) | 23A (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 基本製品番号 | NTB25 | NTB30 | NTB30 | NTB23 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 5V | 4.5V, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1680 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 1150 pF @ 25 V | 225 pF @ 20 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 120W (Tj) | 88.2W (Tc) | 88.2W (Tc) | 37.5W (Tj) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 82mOhm @ 25A, 10V | 42mOhm @ 15A, 10V | 46mOhm @ 15A, 5V | 45mOhm @ 6A, 10V |
NTB25P06T4G - onsemiのNTB25P06T4G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTB27N06T4GAMI Semiconductor/onsemiNTB30N06T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 27A D2PAKNTB30N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 30A D2PAKNTB23N03RT4GonsemiMOSFET N-CH 25V 23A D2PAKNTB30N20onsemiMOSFET N-CH 200V 30A D2PAKNTB23N03RT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB30N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 27A D2PAKNTB18N06T4onsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB23N03RT4onsemiMOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
NTB18N0GONSNTB25P06onsemiMOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAKNTB30N20T4GonsemiMOSFET N-CH 200V 30A D2PAKNTB18N06T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB30N20T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB23N03RonsemiMOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
NTB190N65S3HFonsemiMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3NTB30N06LT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 30A D2PAKNTB30N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 30A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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