NTB13N10T4Gの技術仕様
onsemi - NTB13N10T4G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTB13N10T4G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 165mOhm @ 6.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 64.7W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 550 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NTB13 |
右側の三つのパーツはonsemi NTB13N10T4Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTB13N10T4G | NTB150N65S3HF | NTB082N65S3F | NTB110N65S3HF |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 基本製品番号 | NTB13 | NTB150 | NTB082 | NTB110 |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D²PAK-3 (TO-263-3) | D²PAK (TO-263) | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | - | FRFET®, SuperFET® III | SuperFET® III | FRFET®, SuperFET® III |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 165mOhm @ 6.5A, 10V | 150mOhm @ 12A, 10V | 82mOhm @ 20A, 10V | 110mOhm @ 15A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta) | 24A (Tc) | 40A (Tc) | 30A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 550 pF @ 25 V | 1985 pF @ 400 V | 3410 pF @ 400 V | 2635 pF @ 400 V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 540µA | 5V @ 4mA | 5V @ 740µA |
| 電力消費（最大） | 64.7W (Ta) | 192W (Tc) | 313W (Tc) | 240W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
NTB13N10T4G - onsemiのNTB13N10T4G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTB0104UKNXP USA Inc.DUAL SUPPLY TRANSLATING TRANSCEINTB150N65S3HFonsemiMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3NTB082N65S3FonsemiMOSFET N-CH 650V 40A D2PAKNTB110N65S3HFonsemiMOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3NTB18N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
NTB13N10T4 MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB18N06T4onsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB125N2AMI Semiconductor/onsemiNTB18N06LT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB18N06T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB18N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB125N02RT4GonsemiMOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAKNTB18N06LG MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB13N10T4AMI Semiconductor/onsemiNTB125N02RGonsemiMOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAKNTB18N06LT4onsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB13N10onsemiMOSFET N-CH 100V 13A D2PAKNTB18N06LT4G MOSAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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