NSB9435T1Gの技術仕様
onsemi - NSB9435T1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NSB9435T1G仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 550mV @ 300mA, 3A | |
トランジスタ型式 | PNP - Pre-Biased | |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 (TO-261) | |
シリーズ | - | |
抵抗器 - ベース(R1) | 10 kOhms | |
電力 - 最大 | 720 mW |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
周波数 - トランジション | 110 MHz | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 125 @ 800mA, 1V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | - | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 3 A | |
基本製品番号 | NSB9435 |
右側の三つのパーツはonsemi NSB9435T1Gと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | NSB9435T1G | NSB9435T1 | NSBA123JDXV6T1 | NSBA123JDXV6T5 |
メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
抵抗器 - ベース(R1) | 10 kOhms | 10 kOhms | 2.2kOhms | - |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 125 @ 800mA, 1V | 125 @ 800mA, 1V | 80 @ 5mA, 10V | - |
トランジスタ型式 | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
電力 - 最大 | 720 mW | 3 W | 500mW | - |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 (TO-261) | SOT-223 (TO-261) | SOT-563 | - |
シリーズ | - | - | - | - |
周波数 - トランジション | 110 MHz | 110 MHz | - | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 3 A | 3 A | 100mA | - |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | SOT-563, SOT-666 | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
電流 - コレクタ遮断(最大) | - | - | 500nA | - |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 550mV @ 300mA, 3A | 210mV @ 20mA, 800mA | 250mV @ 300µA, 10mA | - |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V | 30 V | 50V | - |
基本製品番号 | NSB9435 | NSB9435 | NSBA123 | NSBA12 |
NSB9435T1G - onsemiのNSB9435T1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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