NDS356APの技術仕様
onsemi - NDS356AP技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NDS356AP仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 1.3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 280 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.4 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.1A (Ta) | |
| 基本製品番号 | NDS356 |
右側の三つのパーツはonsemi NDS356APと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NDS356AP | NDS356P | NDS355N | NDS356AP |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 1.3A, 10V | 210mOhm @ 1.3A, 10V | 85mOhm @ 1.9A, 10V | 200mOhm @ 1.3A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | NDS356 | - | NDS355 | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 280 pF @ 10 V | 180 pF @ 10 V | 245 pF @ 10 V | 280 pF @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±12V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.4 nC @ 5 V | 5 nC @ 5 V | 5 nC @ 5 V | 4.4 nC @ 5 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.1A (Ta) | 1.1A (Ta) | 1.6A (Ta) | 1.1A (Ta) |
NDS356AP - onsemiのNDS356AP PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NDS356PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
NDS355N-NLGC ElectronicsNDS355NonsemiMOSFET N-CH 30V 1.6A SUPERSOT3NDS356APFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSINDS356AP MOSFairchild (onsemi)NDS355AN-NLFairchild (onsemi)NDS356P MOSFairchild (onsemi)NDS355N MOSFairchild (onsemi)NDS355NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
NDS355AN-NB9L007AonsemiMOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3NDS355AN-NB9L007AFairchild SemiconductorNDS355AN - N-CHANNEL LOGIC LEVELNDS355AN-F169onsemiMOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
NDS356AP-NB8L005Aonsemi-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANNDS355AN-F169Fairchild SemiconductorN-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENNDS356PonsemiMOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3NDS356AP-NB8L005AFairchild Semiconductor-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANNDS356AP-NLAMI Semiconductor/onsemiNDS356AFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。