画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
NDP603AL - onsemi
- メーカー 部品型番
- NDP603AL
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-NDP603AL
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- 在庫あり: 4450
NDP603ALの技術仕様
onsemi - NDP603AL技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NDP603AL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NDP603 |
右側の三つのパーツはonsemi NDP603ALと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NDP603AL | NDP603AL | NDP6020P | NDP6030PL |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±8V | ±16V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 24A (Tc) | 30A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V | 4.5V, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100 pF @ 15 V | 1100 pF @ 15 V | 1590 pF @ 10 V | 1570 pF @ 15 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 20 V | 30 V |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) | 50W (Tc) | 60W (Tc) | 75W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 35 nC @ 5 V | 36 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 25A, 10V | 22mOhm @ 25A, 10V | 50mOhm @ 12A, 4.5V | 25mOhm @ 19A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | NDP603 | - | NDP602 | NDP603 |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
NDP603AL - onsemiのNDP603AL PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NDP605BNSNDP603ALFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 25A TO220-3NDP605BLVBSEMINDP6050NSNDP6020PonsemiMOSFET P-CH 20V 24A TO220-3NDP6030LFairchild (onsemi)NDP6030PLonsemiMOSFET P-CH 30V 30A TO220-3NDP6020PFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2NDP6050 MOSNSNDP510ANSNDP605ANSNDP6030PLFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 30A TO220-3NDP6051NSNDP6050LNSNDP6060 MOSFairchild (onsemi)NDP6020NSNDP6020P MOSNSNDP6060onsemiMOSFET N-CH 60V 48A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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