画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
NDF11N50ZH - onsemi
- メーカー 部品型番
- NDF11N50ZH
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-NDF11N50ZH
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3 Full Pack
- データシート
- NDF11N50Z.pdf
- 在庫あり: 4800
NDF11N50ZHの技術仕様
onsemi - NDF11N50ZH技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NDF11N50ZH仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2 Full Pack | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 520mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 39W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1645 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 69 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NDF11 |
右側の三つのパーツはonsemi NDF11N50ZHと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NDF11N50ZH | NDF08N50ZH | NDF06N62ZG | NDF10N60ZH |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 Full Pack | TO-220FP | TO-220-2 Full Pack |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 620 V | 600 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 520mOhm @ 4.5A, 10V | 850mOhm @ 3.6A, 10V | 1.2Ohm @ 3A, 10V | 750mOhm @ 5A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | 8.5A (Tc) | 6A (Tc) | 10A (Tc) |
| 基本製品番号 | NDF11 | NDF08 | NDF06 | NDF10 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1645 pF @ 25 V | 1095 pF @ 25 V | 923 pF @ 25 V | 1645 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 69 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 39W (Tc) | 35W (Tc) | 31W (Tc) | 39W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
NDF11N50ZH - onsemiのNDF11N50ZH PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NDF08N50ZHonsemiMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FPNDF06N62ZGonsemiMOSFET N-CH 620V 6A TO220FP
NDF4115CETCNDF4170CETCNDF10N60ZHonsemiMOSFET N-CH 600V 10A TO220FPNDF11N50ZGonsemiMOSFET N-CH 500V 12A TO220FPNDF08N50ZG MOSAMI Semiconductor/onsemiNDF08N60ZGonsemiMOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FPNDF9001NANDF10N60ZGonsemiMOSFET N-CH 600V 10A TO220FPNDF10N62ZGonsemiMOSFET N-CH 620V 10A TO220FPNDF9015SAWNDF4072SMD SensorsNDF5504CECTNDF2027NDF08N50ZGonsemiMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FPNDF08N60ZHonsemiMOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FPNDF8086HUAYING| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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