NDD60N360U1T4Gの技術仕様
onsemi - NDD60N360U1T4G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NDD60N360U1T4G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 5.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 114W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NDD60 |
右側の三つのパーツはonsemi NDD60N360U1T4Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NDD60N360U1T4G | NDD04N60ZT4G | NDD04N60Z-1G | NDD05N50Z-1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 500 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | 4.1A (Tc) | 4.1A (Tc) | 4.7A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 114W (Tc) | 83W (Tc) | 83W (Tc) | 83W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 5.5A, 10V | 2Ohm @ 2A, 10V | 2Ohm @ 2A, 10V | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 18.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±25V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | I-PAK | I-PAK |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 50 V | 640 pF @ 25 V | 640 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | NDD60 | NDD04 | NDD04 | NDD05 |
NDD60N360U1T4G - onsemiのNDD60N360U1T4G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NDD05N50ZT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNDD04N60ZT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNDD04N60ZT4GonsemiMOSFET N-CH 600V 4.1A DPAKNDD05N50ZAMI Semiconductor/onsemiNDD04N60Z-1GonsemiMOSFET N-CH 600V 4.1A IPAKNDD05N50Z-1GonsemiMOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK
NDD03N80Z-1GonsemiMOSFET N-CH 800V 2.9A IPAKNDD04N50Z-1GonsemiMOSFET N-CH 500V 3A IPAKNDDP010N25AZAMI Semiconductor/onsemiNDD03N80ZT4GonsemiMOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3NDD04N50ZT4GonsemiMOSFET N-CH 500V 3A DPAKNDD04N60ZAMI Semiconductor/onsemiNDD04N50ZAMI Semiconductor/onsemiNDD4N60ZGAMI Semiconductor/onsemiNDD05N50ZT4GonsemiMOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK
NDDP010N25AZT4HonsemiMOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FANDD04N60ZGAMI Semiconductor/onsemiNDD60N550U1T4GonsemiMOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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