NDB603ALの技術仕様
onsemi - NDB603AL技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NDB603AL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NDB603 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NDB603ALと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NDB603AL | NDB6030PL | NDB6060L | NDB6020P |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100 pF @ 15 V | 1570 pF @ 15 V | 2000 pF @ 25 V | 1590 pF @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 60 V | 20 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 5V, 10V | 4.5V |
| 基本製品番号 | NDB603 | NDB603 | NDB6060 | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | 30A (Tc) | 48A (Tc) | 24A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | 36 nC @ 5 V | 60 nC @ 5 V | 35 nC @ 5 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 25A, 10V | 25mOhm @ 19A, 10V | 20mOhm @ 24A, 10V | 50mOhm @ 12A, 4.5V |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) | 75W (Tc) | 100W (Tc) | 60W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs（最大） | ±20V | ±16V | ±16V | ±8V |
NDB603AL - onsemiのNDB603AL PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NDB6020NSNDB6030PLonsemiMOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
NDB610AFairchild (onsemi)NDB6060LonsemiMOSFET N-CH 60V 48A D2PAKNDB6020PonsemiP-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENNDB6060onsemiMOSFET N-CH 60V 48A D2PAKNDB6030LFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETNDB506BLNSNDB7050onsemiMOSFET N-CH 50V 75A D2PAKNDB6050Fairchild (onsemi)NDB6060 MOSFairchild (onsemi)NDB6030PL MOSNSNDB6020P MOSFairchild (onsemi)NDB7030LNSNDB603Fairchild (onsemi)NDB6030PLFairchild Semiconductor30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL,NDB603ALFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 25A D2PAKNDB6060LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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