NCP81075DR2Gの技術仕様
onsemi - NCP81075DR2G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NCP81075DR2G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電源電圧 - | 8.5V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 8ns, 7ns | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 140°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.7V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 200 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4A, 4A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | NCP81075 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはonsemi NCP81075DR2Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NCP81075DR2G | NCP81080DR2G | NCP81075MNTXG | NCP81080MNTBG |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Synchronous | Independent | Synchronous |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | Half-Bridge | High-Side or Low-Side | Half-Bridge |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 8ns, 7ns | 19ns, 17ns | 8ns, 7ns | 19ns, 17ns |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 200 V | - | 200 V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-DFN (4x4) | 8-DFN (2x2) |
| 運転温度 | -40°C ~ 140°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-VDFN Exposed Pad | 8-VFDFN Exposed Pad |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4A, 4A | 500mA, 800mA | 4A, 4A | 500mA, 800mA |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 基本製品番号 | NCP81075 | NCP81080 | NCP81075 | NCP81080 |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.7V | 1.2V, 1.8V | 0.8V, 2.7V | 1.2V, 1.8V |
| 電源電圧 - | 8.5V ~ 20V | 5.5V ~ 20V | 8.5V ~ 20V | 5.5V ~ 20V |
| 入力タイプ | Non-Inverting | TTL | Non-Inverting | TTL |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
NCP81075DR2G - onsemiのNCP81075DR2G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NCP81080DR2GonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICNCP81075MNTXGonsemiIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DFN
NCP81074BDR2GONsemiNCP81080MNTBGonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFNNCP81078MNTBGonsemiIC MOSFET DRIVERNCP81074AMNTBGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNNCP81071DDR2GonsemiNCP81071 - DUAL 5 LOW -SIDE DRIVNCP81074ADR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81081MNR2GonsemiIC HALF BRIDGE DRIVER 35A 40QFNNCP81071BMNTXGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFNNCP81101AMI Semiconductor/onsemi
NCP81071BZR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOPNCP81071CDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81071BDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81101AAMI Semiconductor/onsemiNCP81075AMI Semiconductor/onsemi
NCP81075MTTXGonsemiIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10WDFNNCP81081AMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。