ISL9R30120G2の技術仕様
onsemi - ISL9R30120G2技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - ISL9R30120G2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 3.3 V @ 30 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-2 | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | Stealth™ | |
| 逆回復時間（trrの） | 100 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-247-2 | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 µA @ 1200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 30A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | ISL9R30120 |
右側の三つのパーツはonsemi ISL9R30120G2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ISL9R30120G2 | ISL9R18120G2 | ISL9R18120P2 | ISL9R18120G2 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 1200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 30A | 18A | 18A | 18A |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-220-2 | TO-247-2 |
| 基本製品番号 | ISL9R30120 | ISL9R18120 | ISL9 | - |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 3.3 V @ 30 A | 3.3 V @ 18 A | 3.3 V @ 18 A | 3.3 V @ 18 A |
| パッケージ/ケース | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-220-2 | TO-247-2 |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| 逆回復時間（trrの） | 100 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
ISL9R30120G2 - onsemiのISL9R30120G2 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
ISL9R18120G2onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247-2ISL9R18120P2onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220-2ISL9R18120G2Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1.2V 18A TO247-2ISL9R3060G2onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2ISL9R1560S2Fairchild SemiconductorDIODE AVALANCHE 600V 15A I2PAKISL9R3060P2onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2ISL9R3060P2/R3060P2Fairchild (onsemi)
ISL9R18120S3STonsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 18A D2PAKISL9R460PF2onsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2LISL9R30120G2Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 30A, 1200V, TO-ISL9R460PF2Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2LISL9R8120P2onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2LISL9R860P2onsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2ISL9R1560S3SFairchild (onsemi)ISL9R1560S3STonsemiDIODE GEN PURP 600V 15A D2PAKISL9R3060G2-F085onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2ISL9R460P2onsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO220-2ISL9R1560PF2onsemiDIODE GEN PURP 600V 15A TO220F| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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