画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IRLS640A - onsemi
- メーカー 部品型番
- IRLS640A
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-IRLS640A
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3 Full Pack
- データシート
- IRLS640A.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 38210
IRLS640Aの技術仕様
onsemi - IRLS640A技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - IRLS640A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 4.9A, 5V | |
| 電力消費（最大） | 40W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1705 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 56 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRLS640 |
右側の三つのパーツはonsemi IRLS640Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLS640A | IRLTS6342TRPBF | IRLTS2242TRPBF | IRLS510A |
| メーカー | onsemi | Infineon Technologies | Infineon Technologies | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | SOT-23-6 | SOT-23-6 | TO-220-3 Full Pack |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.8A (Tc) | 8.3A (Ta) | 6.9A (Ta) | 4.5A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 40W (Tc) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 23W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| シリーズ | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 56 nC @ 5 V | 11 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V | 8 nC @ 5 V |
| 基本製品番号 | IRLS640 | IRLTS6342 | IRLTS2242 | IRLS51 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 | 6-TSOP | 6-TSOP | TO-220F-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 1.1V @ 10µA | 1.1V @ 10µA | 2V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 5V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±12V | ±12V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 30 V | 20 V | 100 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1705 pF @ 25 V | 1010 pF @ 25 V | 905 pF @ 10 V | 235 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 4.9A, 5V | 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V | 32mOhm @ 6.9A, 4.5V | 440mOhm @ 2.25A, 5V |
IRLS640A - onsemiのIRLS640A PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
IRLS640A MOSFairchild (onsemi)IRLS520AFairchild (onsemi)IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOPIRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOPIRLS510AonsemiMOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
IRLS4030TRLPBF MOSIRIRLS4030-7PTRRIR
IRLTS6342TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLTS2242TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 180A TO262IRLS4030-7PIRIRLSL3036PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 195A TO262IRLS4030TRL7PPIRLS4030-7PPBFInternational RectifierIRLS4030 - HEXFET POWER MOSFETIRLSL3034PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO262IRLS4030PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 180A D2PAKIRLTS8342TRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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