画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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IRF630B_FP001 - onsemi
- メーカー 部品型番
- IRF630B_FP001
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-IRF630B_FP001
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
- パッケージ
- TO-220-3
- 認定
- 在庫あり: 5120
IRF630B_FP001の技術仕様
onsemi - IRF630B_FP001技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - IRF630B_FP001仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 72W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 720 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF63 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi IRF630B_FP001と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF630B_FP001 | IRF630FP | IRF630NL | IRF630A |
| メーカー | onsemi | STMicroelectronics | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 720 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 575 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | 9A (Tc) | 9.3A (Tc) | 9A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 300mOhm @ 5.4A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| 基本製品番号 | IRF63 | IRF6 | - | - |
| シリーズ | - | MESH OVERLAY™ II | HEXFET® | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 72W (Tc) | 30W (Tc) | 82W (Tc) | 72W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220FP | TO-262 | TO-220 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
IRF630B_FP001 - onsemiのIRF630B_FP001 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
IRF630MFRSTMicroelectronicsIRF630 MOSSTMicroelectronics
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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