HUF76609D3Sの技術仕様
onsemi - HUF76609D3S技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HUF76609D3S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | UltraFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 49W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 425 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) | |
| 基本製品番号 | HUF76 |
右側の三つのパーツはonsemi HUF76609D3Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HUF76609D3S | HUF76609D3ST | HUF76609D3ST | HUF76443P3 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 129 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 10A, 10V | 160mOhm @ 10A, 10V | 160mOhm @ 10A, 10V | 8mOhm @ 75A, 10V |
| 基本製品番号 | HUF76 | - | HUF76609 | - |
| シリーズ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 425 pF @ 25 V | 425 pF @ 25 V | 425 pF @ 25 V | 4115 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 60 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) | 10A (Tc) | 10A (Tc) | 75A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 49W (Tc) | 49W (Tc) | 49W (Tc) | 260W (Tc) |
HUF76609D3S - onsemiのHUF76609D3S PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HUF76609D3STFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1HUF76609D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 10A TO252AAHUF76443P3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
HUF76445S3SonsemiMOSFET N-CH 60V 75A D2PAKHUF76439S3SonsemiMOSFET N-CH 60V 75A D2PAKHUF76619D3SonsemiMOSFET N-CH 100V 18A TO252AAHUF76445S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 75A D2PAKHUF76443SFairchild (onsemi)HUF76619D3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
HUF76445S3S MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HUF76609D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 10A DPAKHUF76619D3Fairchild (onsemi)HUF76439S3ST MOSFairchild (onsemi)HUF76619D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 18A TO252AAHUF76619D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 18A TO252AAHUF76439S3STonsemiMOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
HUF76445P3onsemiMOSFET N-CH 60V 75A TO220-3HUF76443P3onsemiMOSFET N-CH 60V 75A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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