HUF75645S3STの技術仕様
onsemi - HUF75645S3ST技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HUF75645S3ST仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | UltraFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3790 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 238 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | |
| 基本製品番号 | HUF75645 |
右側の三つのパーツはonsemi HUF75645S3STと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HUF75645S3ST | HUF75645S3S | HUF75829D3S | HUF75639S3ST |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 150 V | 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3790 pF @ 25 V | 3790 pF @ 25 V | 1080 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | HUF75645 | - | HUF75 | HUF75639 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 18A (Tc) | 56A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | 310W (Tc) | 110W (Tc) | 200W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 238 nC @ 20 V | 238 nC @ 20 V | 70 nC @ 20 V | 130 nC @ 20 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 75A, 10V | 14mOhm @ 75A, 10V | 110mOhm @ 18A, 10V | 25mOhm @ 56A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | TO-252AA | D²PAK (TO-263) |
HUF75645S3ST - onsemiのHUF75645S3ST PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HUF75645SFairchild (onsemi)HUF75645S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
HUF75829D3 MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HUF75639S3ST-FDFairchild (onsemi)HUF75823D3Intersil (Renesas Electronics Corporation)HUF75829D3SonsemiMOSFET N-CH 150V 18A TO252AAHUF75639S3STonsemiMOSFET N-CH 100V 56A D2PAKHUF75823D3SFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETHUF75645PFairchild (onsemi)
HUF75645P3onsemiMOSFET N-CH 100V 75A TO220-3HUF75639S_F085AFairchild (onsemi)HUF75645P3Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7HUF75645S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 75A D2PAKHUF75829D3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 18A IPAKHUF75639S3STFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5HUF75842P3onsemiMOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
HUF75829D3onsemiMOSFET N-CH 150V 18A IPAKHUF75652G3onsemiMOSFET N-CH 100V 75A TO247-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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