画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
HGTG27N120BN - onsemi
- メーカー 部品型番
- HGTG27N120BN
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-HGTG27N120BN
- ECADモデル
- モデルの説明
- IGBT NPT 1200V 72A TO247-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-247-3
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 4360
HGTG27N120BNの技術仕様
onsemi - HGTG27N120BN技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HGTG27N120BN仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.7V @ 15V, 27A | |
| 試験条件 | 960V, 27A, 3Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 24ns/195ns | |
| エネルギーの切り替え | 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 500 W | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | NPT | |
| ゲートチャージ | 270 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 216 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 72 A | |
| 基本製品番号 | HGTG27 |
右側の三つのパーツはonsemi HGTG27N120BNと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGTG27N120BN | HGTG30N60C3D | HGTG20N60A4 | HGTG20N60B3 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| パッケージ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| IGBTタイプ | NPT | - | - | - |
| 基本製品番号 | HGTG27 | - | - | HGTG20 |
| 電力 - 最大 | 500 W | 208 W | 290 W | 165 W |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247 | TO-247 | TO-247-3 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 72 A | 63 A | 70 A | 40 A |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 試験条件 | 960V, 27A, 3Ohm, 15V | - | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 480V, 20A, 10Ohm, 15V |
| ゲートチャージ | 270 nC | 162 nC | 142 nC | 80 nC |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 216 A | 252 A | 280 A | 160 A |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 24ns/195ns | - | 15ns/73ns | - |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.7V @ 15V, 27A | 1.8V @ 15V, 30A | 2.7V @ 15V, 20A | 2V @ 15V, 20A |
| エネルギーの切り替え | 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | 105µJ (on), 150µJ (off) | 475µJ (on), 1.05mJ (off) |
HGTG27N120BN - onsemiのHGTG27N120BN PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HGTG30N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG20N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG20N60B3onsemiIGBT 600V 40A 165W TO247HGTG30N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG24N60D1DHarris CorporationUFS SERIES N-CHANNEL IGBTHGTG27N60C3RHarris Corporation54A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGTG30N60B3Harris Corporation600 V, NPT IGBTHGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3HGTG30N60B3onsemiIGBT 600V 60A 208W TO247HGTG30N60A4DonsemiIGBT 600V 75A 463W TO247HGTG30N60C3Harris Corporation63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG20N60A4DonsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG20N60B3DonsemiIGBT 600V 40A 165W TO247HGTG20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO247-3HGTG24N60D1Harris CorporationUFS SERIES N-CHANNEL IGBTHGTG30N60B3DonsemiIGBT 600V 60A TO247-3HGTG27N120BNFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG20N60B3Harris CorporationN-CHANNEL IGBT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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