HGT1S2N120CNの技術仕様
onsemi - HGT1S2N120CN技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HGT1S2N120CN仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.4V @ 15V, 2.6A | |
| 試験条件 | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 25ns/205ns | |
| エネルギーの切り替え | 96µJ (on), 355µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 104 W | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | NPT | |
| ゲートチャージ | 30 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 20 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 13 A | |
| 基本製品番号 | HGT1S2N120 |
右側の三つのパーツはonsemi HGT1S2N120CNと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGT1S2N120CN | HGT1S7N60A4DS | HGT1S20N60C3R | HGT1S3N60A4DS9A |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor |
| 試験条件 | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | - | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | D2PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) | D2PAK (TO-263) |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 20 A | 56 A | 80 A | 40 A |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 電力 - 最大 | 104 W | 125 W | 164 W | 70 W |
| シリーズ | - | - | - | - |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.4V @ 15V, 2.6A | 2.7V @ 15V, 7A | 2.2V @ 15V, 20A | 2.7V @ 15V, 3A |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 13 A | 34 A | 40 A | 17 A |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 25ns/205ns | 11ns/100ns | - | 6ns/73ns |
| エネルギーの切り替え | 96µJ (on), 355µJ (off) | 55µJ (on), 60µJ (off) | - | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| IGBTタイプ | NPT | - | - | - |
| 基本製品番号 | HGT1S2N120 | - | - | - |
| ゲートチャージ | 30 nC | 37 nC | 116 nC | 21 nC |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
HGT1S2N120CN - onsemiのHGT1S2N120CN PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HGT1S5N120CNDSFairchild (onsemi)HGT1S20N60C3SFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4DSFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N60C3RHarris Corporation40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N36G3VLSR4737INTERSIL/FAIRCHILD
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)
HGT1S20N60A4S9AonsemiIGBT 600V 70A 290W TO263ABHGT1S7N60A4DFairchild (onsemi)HGT1S20N36G3VLSFairchild SemiconductorIGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNELHGT1S7N60A4DSonsemiIGBT 600V 34A 125W TO263ABHGT1S14N40G3VLSFairchild (onsemi)HGT1S3N60A4DS9AonsemiIGBT 600V 17A 70W D2PAKHGT1S2N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S3N60A4DSFairchild (onsemi)HGT1S14N41G3VLS9AFairchild (onsemi)HGT1S14N41G3VLSR4874Fairchild (onsemi)HGT1S3N60B3DSHarris Corporation7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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