FW276-TL-2Hの技術仕様
onsemi - FW276-TL-2H技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FW276-TL-2H仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 1mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12.1Ohm @ 350mA, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.6W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 55pF @ 20V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.7nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 450V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 700mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FW276 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FW276-TL-2Hと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FW276-TL-2H | FW276-TL-2H | FW297-TL-2W | FW257-TL-E |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Sanyo |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 55pF @ 20V | 55pF @ 20V | 750pF @ 20V | - |
| シリーズ | - | - | - | * |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 700mA | 700mA (Tc) | 4.5A | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 1mA | 4.5V @ 1mA | 2.6V @ 1mA | - |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 10V Drive | Logic Level Gate, 4V Drive | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 450V | 450V | 60V | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12.1Ohm @ 350mA, 10V | 12.1Ohm @ 350mA, 10V | 58mOhm @ 4.5A, 10V | - |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.7nC @ 10V | 3.7nC @ 10V | 14nC @ 10V | - |
| 基本製品番号 | FW276 | FW276 | FW297 | FW257 |
| 電力 - 最大 | 1.6W | 1.6W (Tc) | 1.8W | - |
FW276-TL-2H - onsemiのFW276-TL-2H PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FW2520-470K-R-T1-LFFW276-TL-2HFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFW250R1-18LUCENTIGBT ModuleFW261-TL-EonsemiNCH+NCH 4V DRIVE SERIESFW252018-101K-R-T1-LFFW26025AISKSFW297-TL-2WonsemiMOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOICFW257-TL-ESanyoN-CHANNEL MOSFETFW297-TL-2W MOSAMI Semiconductor/onsemi
FW252S-A06ARenesas Electronics Corporation
FW2600018Diodes IncorporatedCRYSTAL 26.0000MHZ 9PF SMDFW250R1-S18LUCENTIGBT ModuleFW252018-470J-R-T2-LFFW256-TL-ESanyoN-CHANNEL SILICON MOSFETFW252018-560K-RFW256-TLAMI Semiconductor/onsemi
FW26025A1STMicroelectronicsFW26025SPTECH| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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