FQT4N20LTFの技術仕様
onsemi - FQT4N20LTF技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQT4N20LTF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-4 | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.35Ohm @ 425mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.2W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 310 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 850mA (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQT4N20 |
右側の三つのパーツはonsemi FQT4N20LTFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQT4N20LTF | FQT4N20LTF | FQT4N20TF | FQT2P25TF |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | 5.2 nC @ 5 V | 6.5 nC @ 10 V | 8.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±30V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.35Ohm @ 425mA, 10V | 1.35Ohm @ 425mA, 10V | 1.4Ohm @ 425mA, 10V | 4Ohm @ 275mA, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 850mA (Tc) | 850mA (Tc) | 850mA (Tc) | 550mA (Tc) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | - | QFET® |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 5V, 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 電力消費（最大） | 2.2W (Tc) | 2.2W (Tc) | 2.2W (Tc) | 2.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 310 pF @ 25 V | 310 pF @ 25 V | 220 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 200 V | 200 V | 250 V |
| 基本製品番号 | FQT4N20 | - | - | FQT2P25 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FQT4N20LTF - onsemiのFQT4N20LTF PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQT5N20TFAMI Semiconductor/onsemiFQT4N20LTFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0FQT4N20TFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4FQT3P20TF MOSFairchild (onsemi)FQT2P25TFonsemiMOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4FQT3P20 MOSFairchild (onsemi)FQT4N20LTF MOSFairchild (onsemi)FQT4N25TF MOSFairchild (onsemi)FQT5P10Fairchild (onsemi)FQT4N25TFonsemiMOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4FQT3P20TFonsemiMOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4FQT2P25 MOSFairchild (onsemi)FQT4N20LVBSEMIFQT5P10TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQT4N25TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0FQT4N25Fairchild (onsemi)FQT4N20 MOSFairchild (onsemi)FQT4N20TFonsemiMOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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