画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FQPF27P06 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FQPF27P06
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FQPF27P06
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3 Full Pack
- データシート
- FQPF27P06.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 42870
FQPF27P06の技術仕様
onsemi - FQPF27P06技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQPF27P06仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 8.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 47W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQPF27 |
右側の三つのパーツはonsemi FQPF27P06と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQPF27P06 | FQPF22N30 | FQPF2N30 | FQPF28N15 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 5 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | FQPF27 | FQPF22 | FQPF2 | FQPF2 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 300 V | 300 V | 150 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | 12A (Tc) | 1.34A (Tc) | 16.7A (Tc) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 8.5A, 10V | 160mOhm @ 6A, 10V | 3.7Ohm @ 670mA, 10V | 90mOhm @ 8.35A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V | 130 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±25V | ±30V | ±30V | ±25V |
| 電力消費（最大） | 47W (Tc) | 56W (Tc) | 16W (Tc) | 60W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FQPF27P06 - onsemiのFQPF27P06 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQPF22N30onsemiMOSFET N-CH 300V 12A TO220F
FQPF22P10TFairchild (onsemi)FQPF2N30onsemiMOSFET N-CH 300V 1.34A TO220FFQPF28N15onsemiMOSFET N-CH 150V 16.7A TO220FFQPF22P10TYDTUFairchild (onsemi)FQPF27P06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQPF20N60Fairchild (onsemi)FQPF2N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQPF2N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 1.6A TO220FFQPF22N30Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 300V 12A TO220FFQPF28N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 16.7A TO220FFQPF20P10Fairchild (onsemi)FQPF2N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 2A TO220FFQPF22P10onsemiMOSFET P-CH 100V 13.2A TO220FFQPF27N25onsemiMOSFET N-CH 250V 14A TO220FFQPF2N30Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 300V 1.34A TO220FFQPF20N60CFairchild (onsemi)FQPF2N60onsemiMOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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