画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FQP8N90C - onsemi
- メーカー 部品型番
- FQP8N90C
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FQP8N90C
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- データシート
- TO220B03 Pkg Drawing.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 5000
FQP8N90Cの技術仕様
onsemi - FQP8N90C技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQP8N90C仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.9Ohm @ 3.15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 171W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2080 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.3A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQP8 |
右側の三つのパーツはonsemi FQP8N90Cと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQP8N90C | FQP90N08 | FQP9N15 | FQP8N80C |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 電力消費（最大） | 171W (Tc) | 160W (Tc) | 75W (Tc) | 178W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.9Ohm @ 3.15A, 10V | 16mOhm @ 35.5A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 1.55Ohm @ 4A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.3A (Tc) | 71A (Tc) | 9A (Tc) | 8A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2080 pF @ 25 V | 3250 pF @ 25 V | 410 pF @ 25 V | 2050 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | FQP8 | FQP9 | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | 80 V | 150 V | 800 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±25V | ±25V | ±30V |
FQP8N90C - onsemiのFQP8N90C PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQP90N08onsemiMOSFET N-CH 80V 71A TO220-3
FQP8N25FSCFQP9N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 9A TO220-3FQP8N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FQP8P10onsemiMOSFET P-CH 100V 8A TO220-3FQP9N15onsemiMOSFET N-CH 150V 9A TO220-3FQP9N08 MOSFairchild (onsemi)FQP8N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3FQP8P10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FQP9N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3FQP8874Fairchild (onsemi)FQP8N90CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3FQP90N10V2onsemiMOSFET N-CH 100V 90A TO220-3FQP9N08onsemiMOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3FQP8N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FQP8N80C MOSFairchild (onsemi)FQP8N60C MOSFairchild (onsemi)FQP8N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 8A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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