画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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FQP7N20 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FQP7N20
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FQP7N20
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
- パッケージ
- TO-220-3
- RoHS ステータス
- 認定
- 在庫あり: 5430
FQP7N20の技術仕様
onsemi - FQP7N20技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQP7N20仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 690mOhm @ 3.3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 63W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQP7 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FQP7N20と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQP7N20 | FQP7N60 | FQP7N80 | FQP70N08 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±25V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 690mOhm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3.7A, 10V | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V | 17mOhm @ 35A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 63W (Tc) | 142W (Tc) | 167W (Tc) | 155W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.6A (Tc) | 7.4A (Tc) | 6.6A (Tc) | 70A (Tc) |
| 基本製品番号 | FQP7 | FQP7 | - | FQP7 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 1850 pF @ 25 V | 2700 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 600 V | 800 V | 80 V |
FQP7N20 - onsemiのFQP7N20 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQP70N10 MOSFairchild (onsemi)FQP7N60onsemiMOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3FQP7N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP70N08onsemiMOSFET N-CH 80V 70A TO220-3FQP70N08 MOSFairchild (onsemi)FQP7N80onsemiMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP7N10onsemiMOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3FQP7N40onsemiMOSFET N-CH 400V 7A TO220-3FQP7N60CFairchild (onsemi)FQP7N65ConsemiMOSFET N-CH 650V 7A TO220-3FQP7N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP7N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQP70N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 70A TO220-3FQP7D20TMFairchild (onsemi)FQP70N10onsemiMOSFET N-CH 100V 57A TO220-3FQP7N65CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 7A TO220-3FQP70N10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FQP70N06Fairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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