画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FQP46N15 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FQP46N15
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FQP46N15
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 4300
FQP46N15の技術仕様
onsemi - FQP46N15技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQP46N15仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 42mOhm @ 22.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 210W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3250 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45.6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQP46 |
右側の三つのパーツはonsemi FQP46N15と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQP46N15 | FQP4N20L | FQP4N25 | FQP47P06 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 5V, 10V | 10V | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 5.2 nC @ 5 V | 5.6 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | FQP46 | - | - | FQP47 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45.6A (Tc) | 3.8A (Tc) | 3.6A (Tc) | 47A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 200 V | 250 V | 60 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 42mOhm @ 22.8A, 10V | 1.35Ohm @ 1.9A, 10V | 1.75Ohm @ 1.8A, 10V | 26mOhm @ 23.5A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 210W (Tc) | 45W (Tc) | 52W (Tc) | 160W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±25V | ±20V | ±30V | ±25V |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3250 pF @ 25 V | 310 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
FQP46N15 - onsemiのFQP46N15 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQP4N20LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP45N03L MOSFairchild (onsemi)FQP4N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3FQP47P06onsemiMOSFET P-CH 60V 47A TO220-3FQP45N15V2Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FQP45N03LFairchild (onsemi)FQP4N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3FQP4N20onsemiMOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3FQP4N25onsemiMOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3FQP4N20L MOSFairchild (onsemi)FQP45N03LMFairchild (onsemi)FQP44N10F MOSFairchild (onsemi)FQP45N15V2onsemiMOSFET N-CH 150V 45A TO220-3FQP4N20Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3FQP47P06 MOSFairchild (onsemi)FQP44N10 MOSFairchild (onsemi)FQP45N10Fairchild (onsemi)FQP44N10Fairchild SemiconductorPOWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 1| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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