FQNL2N50BTAの技術仕様
onsemi - FQNL2N50BTA技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQNL2N50BTA仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±30V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
シリーズ | QFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.3Ohm @ 175mA, 10V | |
電力消費(最大) | 1.5W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | |
パッケージ | Cut Tape (CT) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 230 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 350mA (Tc) | |
基本製品番号 | FQNL2 |
右側の三つのパーツはonsemi FQNL2N50BTAと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | FQNL2N50BTA | FQN1N50CTA | IXTP60N10T | STW3N170 |
メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | IXYS | STMicroelectronics |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 50µA | 5V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | TO-92-3 | TO-220-3 | TO-247-3 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.3Ohm @ 175mA, 10V | 6Ohm @ 190mA, 10V | 18mOhm @ 25A, 10V | 13Ohm @ 1.3A, 10V |
Vgs(最大) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8 nC @ 10 V | 6.4 nC @ 10 V | 49 nC @ 10 V | 44 nC @ 10 V |
パッケージ | Cut Tape (CT) | Bulk | Tube | Tube |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-220-3 | TO-247-3 |
電力消費(最大) | 1.5W (Tc) | 890mW (Ta), 2.08W (Tc) | 176W (Tc) | 160mW |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | 10V | 10V |
シリーズ | QFET® | QFET® | Trench | PowerMESH™ |
FET特長 | - | - | - | - |
基本製品番号 | FQNL2 | - | IXTP60 | STW3N170 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 350mA (Tc) | 380mA (Tc) | 60A (Tc) | 2.6A (Tc) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V | 500 V | 100 V | 1700 V |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 230 pF @ 25 V | 195 pF @ 25 V | 2650 pF @ 25 V | 1100 pF @ 100 V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FQNL2N50BTA - onsemiのFQNL2N50BTA PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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