FQI5N60CTUの技術仕様
onsemi - FQI5N60CTU技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQI5N60CTU仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.13W (Ta), 100W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 670 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQI5N60 |
右側の三つのパーツはonsemi FQI5N60CTUと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQI5N60CTU | FQI4N20TU | FQI7N60TU | FQI5N60CTU |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 200 V | 600 V | 600 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | 6.5 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 670 pF @ 25 V | 220 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V | 1.4Ohm @ 1.8A, 10V | 1Ohm @ 3.7A, 10V | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 3.13W (Ta), 100W (Tc) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) | 3.13W (Ta), 142W (Tc) | 3.13W (Ta), 100W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) | 3.6A (Tc) | 7.4A (Tc) | 4.5A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | FQI5N60 | - | FQI7N60 | - |
FQI5N60CTU - onsemiのFQI5N60CTU PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQI4N20TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAKFQI7N60TUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FQI4P40FSCFQI4N60Fairchild (onsemi)FQI5N60CFairchild (onsemi)FQI5N60TUFSCFQI7N60Fairchild (onsemi)FQI5N50TUFSCFQI5N60CTUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAKFQI7N80Fairchild (onsemi)
FQI4N90TUonsemiMOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAKFQI4N80TUonsemiMOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAKFQI4N80TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAKFQI4N80Fairchild (onsemi)FQI4N90TUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FQI7N80TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAKFQI60N03LTUFairchild (onsemi)FQI7N60TUonsemiMOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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