画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FQH8N100C - onsemi
- メーカー 部品型番
- FQH8N100C
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FQH8N100C
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-247-3
- データシート
- FQH8N100C.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 12652
FQH8N100Cの技術仕様
onsemi - FQH8N100C技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQH8N100C仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.45Ohm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 225W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3220 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQH8N100 |
右側の三つのパーツはonsemi FQH8N100Cと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQH8N100C | APT47F60J | FDMA291P | IRFR3911TRPBF |
| メーカー | onsemi | Microchip Technology | onsemi | Infineon Technologies |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 1.8V, 4.5V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | QFET® | POWER MOS 8™ | PowerTrench® | HEXFET® |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | 6-WDFN Exposed Pad | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V | 14 nC @ 4.5 V | 32 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | FQH8N100 | APT47F60 | FDMA291 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 600 V | 20 V | 100 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | 49A (Tc) | 6.6A (Ta) | 14A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 2.5mA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3220 pF @ 25 V | 13190 pF @ 25 V | 1000 pF @ 10 V | 740 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.45Ohm @ 4A, 10V | 90mOhm @ 33A, 10V | 42mOhm @ 6.6A, 4.5V | 115mOhm @ 8.4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 225W (Tc) | 540W (Tc) | 2.4W (Ta) | 56W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | ISOTOP® | 6-MicroFET (2x2) | D-Pak |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±8V | ±20V |
FQH8N100C - onsemiのFQH8N100C PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
APT47F60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOPFDMA291PonsemiMOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFETIRFR3911TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 14A DPAK
BSS84TADiodes IncorporatedMOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
FDP8876onsemiMOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
STD30PF03L-1STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 24A IPAK2N7002E-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
FQH44N10onsemiMOSFET N-CH 100V 48A TO247-3FQH18N50U2FARICHILD
FQH140N10Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 140A TO247-3HUFA75344P3onsemiMOSFET N-CH 55V 75A TO220-3FQH140N10onsemiMOSFET N-CH 100V 140A TO247-3
AO4413LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223FQH18N50V2onsemiMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3FQH90N15onsemiMOSFET N-CH 150V 90A TO247-3FQH18N50V2Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3FQH70N15Fairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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