FQD20N06LETMの技術仕様
onsemi - FQD20N06LETM技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQD20N06LETM仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 8.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 38W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 665 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17.2A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQD2 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FQD20N06LETMと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQD20N06LETM | FQD20N06LETM | FQD20N06TM | FQD1P50TM |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 665 pF @ 25 V | 665 pF @ 25 V | 590 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | FQD2 | - | FQD20N06 | FQD1 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17.2A (Tc) | 17.2A (Tc) | 16.8A (Tc) | 1.2A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-252AA |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 8.6A, 10V | 60mOhm @ 8.6A, 10V | 63mOhm @ 8.4A, 10V | 10.5Ohm @ 600mA, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 38W (Tc) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±25V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 5V, 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 5 V | 13 nC @ 5 V | 15 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 500 V |
FQD20N06LETM - onsemiのFQD20N06LETM PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQD20N06LETMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 17.2A DPAKFQD20N06TM MOSFairchild (onsemi)FQD1N80TM MOSFairchild (onsemi)FQD20N06LEFairchild (onsemi)FQD20N06TMonsemiMOSFET N-CH 60V 16.8A DPAKFQD1P50TMonsemiMOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
FQD20N06LFAIRCHILDRCHILDFQD20N06TFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 16.8A DPAKFQD20N06Fairchild (onsemi)FQD20N06 MOSFairchild (onsemi)FQD20N06LTM MOSFairchild (onsemi)FQD20N06LTFonsemiMOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
FQD1N80 MOSMicron TechnologyFQD20N06LTMonsemiMOSFET N-CH 60V 17.2A DPAKFQD20N06TFonsemiMOSFET N-CH 60V 16.8A DPAKFQD20N06TMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQD20N06L MOSFairchild (onsemi)FQD1N80TMonsemiMOSFET N-CH 800V 1A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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