FQB9N50CTMの技術仕様
onsemi - FQB9N50CTM技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQB9N50CTM仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 800mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 135W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1030 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQB9N50 |
右側の三つのパーツはonsemi FQB9N50CTMと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQB9N50CTM | FQB9N50TM | FQB9N08LTM | FQB9N25CTM |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 80 V | 250 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | 9A (Tc) | 9.3A (Tc) | 8.8A (Tc) |
| 基本製品番号 | FQB9N50 | FQB9 | FQB9 | FQB9 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 6.1 nC @ 5 V | 35 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 800mOhm @ 4.5A, 10V | 730mOhm @ 4.5A, 10V | 210mOhm @ 4.65A, 10V | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1030 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V | 280 pF @ 25 V | 710 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 135W (Tc) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) |
FQB9N50CTM - onsemiのFQB9N50CTM PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQB9N50TMonsemiMOSFET N-CH 500V 9A D2PAKFQB9N08LTMonsemiMOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
FQB9N50Fairchild (onsemi)FQB9N25CTMonsemiMOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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