画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FQA48N20 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FQA48N20
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FQA48N20
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-3P-3, SC-65-3
- データシート
- FQA48N20.pdf
- 在庫あり: 4970
FQA48N20の技術仕様
onsemi - FQA48N20技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQA48N20仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 24A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 280W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 48A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQA4 |
右側の三つのパーツはonsemi FQA48N20と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQA48N20 | FQA62N25C | FQA44N08 | FQA46N15_F109 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 48A (Tc) | 62A (Tc) | 49.8A (Tc) | 50A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 280W (Tc) | 298W (Tc) | 163W (Tc) | 250W (Tc) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | FQA4 | FQA62 | FQA4 | FQA4 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±25V | ±25V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 250 V | 80 V | 150 V |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 24A, 10V | 35mOhm @ 31A, 10V | 34mOhm @ 24.9A, 10V | 42mOhm @ 25A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5000 pF @ 25 V | 6280 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 3250 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | TO-3PN | TO-3P | TO-3P |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FQA48N20 - onsemiのFQA48N20 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQA62N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 62A TO3PNFQA44N08onsemiMOSFET N-CH 80V 49.8A TO3PFQA46N15_F109onsemiMOSFET N-CH 150V 50A TO3P
FQA55N25 MOSFairchild (onsemi)FQA44N10 MOSFairchild (onsemi)FQA47P06onsemiMOSFET P-CH 60V 55A TO3PFQA46N15 MOSFairchild (onsemi)FQA5N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 5.8A TO3PFQA55N25 CMH82N25Fairchild (onsemi)FQA55N10onsemiMOSFET N-CH 100V 61A TO3PFQA44N10onsemiMOSFET N-CH 100V 48A TO3PFQA55N25 CMH82N25 MOSFairchild (onsemi)FQA44N30Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FQA44N30onsemiMOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PNFQA46N15onsemiMOSFET N-CH 150V 50A TO3PFQA5N90onsemiMOSFET N-CH 900V 5.8A TO3PFQA55N25onsemiMOSFET N-CH 250V 55A TO3PNFQA40N25 MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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