FQA38N30の技術仕様
onsemi - FQA38N30技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQA38N30仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 19.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 290W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38.4A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQA3 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FQA38N30と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQA38N30 | FQA35N40 | FQA34N25 | FQA38N30 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 基本製品番号 | FQA3 | - | FQA3 | FQA3 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38.4A (Tc) | 35A (Tc) | 34A (Tc) | 38.4A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4400 pF @ 25 V | 5600 pF @ 25 V | 2750 pF @ 25 V | 4400 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | 400 V | 250 V | 300 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 19.2A, 10V | 105mOhm @ 17.5A, 10V | 85mOhm @ 17A, 10V | 85mOhm @ 19.2A, 10V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| シリーズ | QFET® | QFET® | - | QFET® |
| 電力消費（最大） | 290W (Tc) | 310W (Tc) | 245W (Tc) | 290W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | 140 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V |
FQA38N30 - onsemiのFQA38N30 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQA35N40Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 35A TO3PFQA34N25onsemiMOSFET N-CH 250V 34A TO3PFQA38N30Fairchild Semiconductor38.4A, 300V, N-CHANNEL, MOSFETFQA36P15 MOSFairchild (onsemi)FQA34N20onsemiMOSFET N-CH 200V 34A TO3P
FQA36P15onsemiMOSFET P-CH 150V 36A TO3PNFQA44N30Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FQA33N10onsemiMOSFET N-CH 100V 36A TO3PFQA33N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 36A TO3PFQA40N25 MOSFairchild (onsemi)FQA35N40onsemiMOSFET N-CH 400V 35A TO3PFQA34N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 34A TO3PFQA44N10 MOSFairchild (onsemi)FQA44N10onsemiMOSFET N-CH 100V 48A TO3PFQA40N25onsemiMOSFET N-CH 250V 40A TO3PNFQA46N15onsemiMOSFET N-CH 150V 50A TO3PFQA44N08onsemiMOSFET N-CH 80V 49.8A TO3PFQA44N30onsemiMOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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