画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FQA18N50V2 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FQA18N50V2
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FQA18N50V2
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-3P-3, SC-65-3
- データシート
- FQA18N50V2.pdf
- 在庫あり: 3850
FQA18N50V2の技術仕様
onsemi - FQA18N50V2技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQA18N50V2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 265mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 277W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3290 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQA1 |
右側の三つのパーツはonsemi FQA18N50V2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQA18N50V2 | FQA160N08 | FQA19N20L | FQA170N06 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 電力消費（最大） | 277W (Tc) | 375W (Tc) | 190W (Tc) | 375W (Tc) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±25V | ±20V | ±25V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 160A (Tc) | 25A (Tc) | 170A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | TO-3PN | TO-3P | TO-3PN |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | FQA1 | FQA160 | FQA1 | FQA170 |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 80 V | 200 V | 60 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3290 pF @ 25 V | 7900 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V | 9350 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 265mOhm @ 10A, 10V | 7mOhm @ 80A, 10V | 140mOhm @ 12.5A, 10V | 5.6mOhm @ 85A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 55 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V | 35 nC @ 5 V | 290 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
FQA18N50V2 - onsemiのFQA18N50V2 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQA160N08onsemiMOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
FQA18N40Fairchild (onsemi)FQA19N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 25A TO3PFQA170N06onsemiMOSFET N-CH 60V 170A TO3PNFQA14N30Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 300V 15A TO3PFQA24N50onsemiMOSFET N-CH 500V 24A TO3PFQA20N40onsemiMOSFET N-CH 400V 19.5A TO3PFQA19N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PNFQA19N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 21.8A TO3PFQA160N08Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQA19N20L MOSFairchild (onsemi)FQA15N70Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQA24N50Fairchild Semiconductor24A, 500V, 0.2OHM, N-CHANNEL, MFQA18N50V2Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 20A TO3P
FQA19N60onsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQA16N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 16A TO3P
FQA18N50FSCFQA16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 16A TO3P| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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