FGA30N65SMDの技術仕様
onsemi - FGA30N65SMD技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FGA30N65SMD仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.5V @ 15V, 30A | |
| 試験条件 | 400V, 30A, 6Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 14ns/102ns | |
| エネルギーの切り替え | 716µJ (on), 208µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 35 ns | |
| 電力 - 最大 | 300 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Field Stop | |
| ゲートチャージ | 87 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 90 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 60 A | |
| 基本製品番号 | FGA30N65 |
右側の三つのパーツはonsemi FGA30N65SMDと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FGA30N65SMD | FGA30N65SMD | FGA30N60LSDTU | FGA30N60LSDTU |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 逆回復時間（trrの） | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.5V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 30A | 1.4V @ 15V, 30A | 1.4V @ 15V, 30A |
| IGBTタイプ | Field Stop | Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 14ns/102ns | 14ns/102ns | 18ns/250ns | 18ns/250ns |
| パッケージ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| 電力 - 最大 | 300 W | 300 W | 480 W | 480 W |
| エネルギーの切り替え | 716µJ (on), 208µJ (off) | 716µJ (on), 208µJ (off) | 1.1mJ (on), 21mJ (off) | 1.1mJ (on), 21mJ (off) |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | 650 V | 600 V | 600 V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 60 A | 60 A | 60 A | 60 A |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | TO-3PN | TO-3P | TO-3P |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 試験条件 | 400V, 30A, 6Ohm, 15V | 400V, 30A, 6Ohm, 15V | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 90 A | 90 A | 90 A | 90 A |
| 基本製品番号 | FGA30N65 | FGA30N65 | FGA30N60 | FGA30N60 |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ゲートチャージ | 87 nC | 87 nC | 225 nC | 225 nC |
FGA30N65SMD - onsemiのFGA30N65SMD PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FGA30N65SMDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N60LSDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N60LSDTUonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PFGA30S120PFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N60RUFDFairchild (onsemi)FGA40T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PNFGA30N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 60A 339W TO3PFGA30N60RUFFairchild (onsemi)FGA30N120FTDFairchild (onsemi)FGA30S120PonsemiIGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PNFGA30T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PNFGA4060ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 80A TO3PNFGA40N65SMDonsemiIGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PNFGA40N60UFDTUFairchild SemiconductorIGBT, 40A, 600V, N-CHANNELFGA30N60LSDFairchild (onsemi)FGA40N60UFDTUonsemiIGBT 600V 40A 160W TO3PFGA4060ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA3060ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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