FDT4N50NZUの技術仕様
onsemi - FDT4N50NZU技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDT4N50NZU仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 (TO-261) | |
| シリーズ | UltraFRFET™, Unifet™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 476 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.1 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Tc) |
右側の三つのパーツはonsemi FDT4N50NZUと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDT4N50NZU | FDT86113LZ | FDT86106LZ | FDT458P |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1A, 10V | 100mOhm @ 3.3A, 10V | 108mOhm @ 3.2A, 10V | 130mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs（最大） | ±25V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | UltraFRFET™, Unifet™ II | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 100 V | 100 V | 30 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 2W (Tc) | 2.2W (Ta) | 2.2W (Ta) | 3W (Ta) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.1 nC @ 10 V | 6.8 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V | 3.5 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Tc) | 3.3A (Tc) | 3.2A (Ta) | 3.4A (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 (TO-261) | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 476 pF @ 25 V | 315 pF @ 50 V | 315 pF @ 50 V | 205 pF @ 15 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FDT4N50NZU - onsemiのFDT4N50NZU PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDT459N MOSAMI Semiconductor/onsemi
FDT55AN06LA0 MOSFairchild (onsemi)FDT86113LZonsemiMOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4FDT5060LAMI Semiconductor/onsemiFDT86106LZonsemiMOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
FDT49FCT805ASOFDTFDT458P MOSFairchild (onsemi)FDT458PonsemiMOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4FDT461NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4FDT461N MOSFairchild (onsemi)FDT458P-NLFairchild (onsemi)FDT461NonsemiMOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4FDT86106LZFairchild SemiconductorFDT86106 - N-CHANNEL POWERTRENCHFDT459NFairchild Semiconductor6.5A, 30V, 0.035OHM, N-CHANNEL,FDT86102LZonsemiMOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4FDT459NonsemiMOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4FDT55AN06LA0onsemiMOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4FDT86102LZ MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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