FDPF9N50NZの技術仕様
onsemi - FDPF9N50NZ技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDPF9N50NZ仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP-3 | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | |
電力消費(最大) | - | |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | Through Hole | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - | |
基本製品番号 | FDPF9 |
右側の三つのパーツはonsemi FDPF9N50NZと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | FDPF9N50NZ | FDPF8N60ZUT | FDPF8N50NZ | FDPF7N50U |
メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V | 600 V | 500 V | 500 V |
運転温度 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
電力消費(最大) | - | 34.5W (Tc) | 40.3W (Tc) | 39W (Tc) |
基本製品番号 | FDPF9 | FDPF8 | - | - |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
シリーズ | - | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET特長 | - | - | - | - |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - | 6.5A (Tc) | 8A (Tc) | 5A (Tc) |
パッケージ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | 1.35Ohm @ 3.25A, 10V | 850mOhm @ 4A, 10V | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V |
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一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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