画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDP79N15 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDP79N15
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDP79N15
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 150V 79A TO220-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- 在庫あり: 4930
FDP79N15の技術仕様
onsemi - FDP79N15技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDP79N15仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | UniFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 39.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 463W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3410 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 73 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 79A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDP79 |
右側の三つのパーツはonsemi FDP79N15と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDP79N15 | FDP75N08 | FDP7N60NZ | FDP8030L |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 75 V | 600 V | 30 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 39.5A, 10V | 11mOhm @ 37.5A, 10V | 1.25Ohm @ 3.25A, 10V | 3.5mOhm @ 80A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3410 pF @ 25 V | 4468 pF @ 25 V | 730 pF @ 25 V | 10500 pF @ 15 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 79A (Tc) | 75A (Tc) | 6.5A (Tc) | 80A (Ta) |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 73 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 170 nC @ 5 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 基本製品番号 | FDP79 | - | - | FDP80 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電力消費（最大） | 463W (Tc) | 131W (Tc) | 147W (Tc) | 187W (Tc) |
| シリーズ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET-II™ | PowerTrench® |
FDP79N15 - onsemiのFDP79N15 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDP75N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 75V 75A TO220-3FDP7N60NZ MOSFairchild (onsemi)FDP7N60NZonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FDP8030LonsemiMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3FDP79N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 79A TO220-3FDP80N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP75N08A MOSFairchild (onsemi)FDP75N08onsemiMOSFET N-CH 75V 75A TO220-3FDP75N08 MOSFairchild (onsemi)FDP7030L MOSFairchild (onsemi)FDP7030LonsemiMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3FDP75N08AonsemiMOSFET N-CH 75V 75A TO220-3FDP7045LFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDP8030LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3FDP7N50onsemiMOSFET N-CH 500V 7A TO220-3FDP75N08AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FDP8030L MOSFairchild (onsemi)FDP80N06onsemiMOSFET N-CH 60V 80A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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