画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDP047N10 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDP047N10
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDP047N10
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 13825
FDP047N10の技術仕様
onsemi - FDP047N10技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDP047N10仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.7mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 15265 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 210 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDP047 |
右側の三つのパーツはonsemi FDP047N10と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDP047N10 | FDP053N08B-F102 | FDP050AN06A0 | FDP047N10 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | 146W (Tc) | 245W (Tc) | 375W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.7mOhm @ 75A, 10V | 5.3mOhm @ 75A, 10V | 5mOhm @ 80A, 10V | 4.7mOhm @ 75A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 6V, 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | 75A (Tc) | 18A (Ta), 80A (Tc) | 120A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | FDP047 | FDP053 | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 210 nC @ 10 V | 85 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 210 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 15265 pF @ 25 V | 5960 pF @ 40 V | 3900 pF @ 25 V | 15265 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 80 V | 60 V | 100 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
FDP047N10 - onsemiのFDP047N10 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDP047AN08A0 MOSFairchild (onsemi)
FDP047AN08AFSCFDP053N08B-F102onsemiMOSFET N-CH 80V 75A TO220-3FDP050AN06A0Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP047N08 MOSFairchild (onsemi)FDP047N10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP047N10 MOSFairchild (onsemi)FDP045N10A_F102ON/FSCFDP047N08VFairchild (onsemi)FDP050Fairchild (onsemi)FDP050AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3FDP047AN08A0onsemiMOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
FDP054N10onsemiMOSFET N-CH 100V 120A TO220-3FDP047AN08AOFairchild (onsemi)FDP054N10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP050AN06AOFairchild (onsemi)FDP047N08onsemiMOSFET N-CH 75V 164A TO220-3FDP047AN08Fairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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