FDN335Nの技術仕様
onsemi - FDN335N技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDN335N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 1.7A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 310 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDN335 |
右側の三つのパーツはonsemi FDN335Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDN335N | FDN336P | FDN335N | FDN336P |
| メーカー | onsemi | onsemi | UMW | Fairchild Semiconductor |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 1.7A, 4.5V | 200mOhm @ 1.3A, 4.5V | 70mOhm @ 1.7A, 4.5V | 200mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 1W (Ta) | 500mW (Ta) |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | UMW | PowerTrench® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 310 pF @ 10 V | 330 pF @ 10 V | 310 pF @ 10 V | 330 pF @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Ta) | 1.3A (Ta) | 1.7A (Ta) | 1.3A (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23 | SOT-23-3 |
| 基本製品番号 | FDN335 | FDN336 | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±8V | ±8V | ±8V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | 5 nC @ 4.5 V | 3.5 nC @ 4.5 V | 5 nC @ 4.5 V |
FDN335N - onsemiのFDN335N PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDN328AMI Semiconductor/onsemiFDN336PonsemiMOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3FDN335N MOSFairchild (onsemi)FDN335ANFairchild (onsemi)FDN335NUMWSOT-23 MOSFETS ROHSFDN336PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDN327NonsemiMOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3FDN327NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDN335PKEFANFDN331NFairchild (onsemi)FDN332P-NLFairchild (onsemi)FDN327N MOSFairchild (onsemi)FDN336P-NLonsemiMOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3FDN327N-NLFairchild (onsemi)FDN335N_QFairchild (onsemi)FDN335N-NLFairchild (onsemi)FDN332PAMI Semiconductor/onsemiFDN335NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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