FDMS86350ET80の技術仕様
onsemi - FDMS86350ET80技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMS86350ET80仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.3W (Ta), 187W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8030 pF @ 40 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 155 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Ta), 198A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDMS86350 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FDMS86350ET80と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMS86350ET80 | FDMS86350 | FDMS86320 | FDMS86322 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Ta), 198A (Tc) | 25A (Ta), 130A (Tc) | 10.5A (Ta), 22A (Tc) | 13A (Ta), 60A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 155 nC @ 10 V | 155 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | FDMS86350 | FDMS86 | FDMS86 | FDMS86 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V | 8V, 10V | 8V, 10V | 6V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | 80 V | 80 V | 80 V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 3.3W (Ta), 187W (Tc) | 2.7W (Ta), 156W (Tc) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8030 pF @ 40 V | 10680 pF @ 40 V | 2640 pF @ 40 V | 3000 pF @ 50 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4mOhm @ 25A, 10V | 2.4mOhm @ 25A, 10V | 11.7mOhm @ 10.5A, 10V | 7.65mOhm @ 13A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
FDMS86350ET80 - onsemiのFDMS86350ET80 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMS86350onsemiMOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56FDMS86320onsemiMOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
FDMS86368_F085Fairchild (onsemi)FDMS86322onsemiMOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFNFDMS86369onsemiFET 80V 7.5MOHM PQFN8FDMS86300onsemiMOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFNFDMS86500L MOSFairchild (onsemi)FDMS86300DConsemiMOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56FDMS86500DConsemiMOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56FDMS86520onsemiMOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFNFDMS86500LonsemiMOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFNFDMS86368Fairchild (onsemi)FDMS86263PonsemiMOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFNFDMS86322 MOSFairchild (onsemi)FDMS8650LFairchild (onsemi)FDMS86310onsemiMOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFNFDMS86381-F085onsemiMOSFET N-CH 80V 30A POWER56FDMS86300 MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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