画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDMS3664S - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDMS3664S
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDMS3664S
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
- 詳細な説明
- パッケージ
- 8-PowerTDFN
- データシート
- FDMS3664S.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 53400
FDMS3664Sの技術仕様
onsemi - FDMS3664S技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMS3664S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.7V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power56 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 13A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1765pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A, 25A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| 基本製品番号 | FDMS3664 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMS3664Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMS3664S | FDMS3669S | FDMS3668S | FDMS3660S |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power56 | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | Power56 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A, 25A | 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc) | 13A, 18A | 30A, 60A |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.7V @ 250µA | 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA | 2.7V @ 250µA | 2.7V @ 250µA |
| 基本製品番号 | FDMS3664 | FDMS3669 | FDMS3668 | FDMS3660 |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 13A, 10V | 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V | 8mOhm @ 13A, 10V | 8mOhm @ 13A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力 - 最大 | 1W | 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc) | 1W | 1W |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1765pF @ 15V | 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V | 1765pF @ 15V | 1765pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29nC @ 10V | 24nC @ 10V, 34nC @ 10V | 29nC @ 10V | 29nC @ 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
FDMS3664S - onsemiのFDMS3664S PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMS4435BZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FDMS3669SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3629SFairchild (onsemi)FDMS3672Fairchild SemiconductorFDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TRFDMS3668SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3662onsemiMOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFNFDMS3660SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56FDMS3660SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3664SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3664S MOSFairchild (onsemi)FDMS3669SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56FDMS3660ASonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFNFDMS3668S MOSFairchild (onsemi)FDMS3660S MOSFairchild (onsemi)FDMS3662 MOSFairchild (onsemi)FDMS3662Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDMS3668SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56FDMS3672onsemiMOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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