FDMS36101L-F085の技術仕様
onsemi - FDMS36101L-F085技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMS36101L-F085仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power56 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 94W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3945 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 84 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDMS36 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMS36101L-F085と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMS36101L-F085 | FDMS3622S | FDMS3604S | FDMS3606AS |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3945 pF @ 25 V | 1570pF @ 13V | 1785pF @ 15V | 1695pF @ 15V |
| 基本製品番号 | FDMS36 | FDMS3622 | FDMS3604 | FDMS3606 |
| 電力消費（最大） | 94W (Tc) | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.7V @ 250µA | 2.7V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 84 nC @ 10 V | 26nC @ 10V | 29nC @ 10V | 29nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) | 17.5A, 34A | 13A, 23A | 13A, 27A |
| Vgs（最大） | ±20V | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | - | - |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power56 | Power56 | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 25V | 30V | 30V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 20A, 10V | 5mOhm @ 17.5A, 10V | 8mOhm @ 13A, 10V | 8mOhm @ 13A, 10V |
FDMS36101L-F085 - onsemiのFDMS36101L-F085 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMS3622SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3604SFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDMS3606ASFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3615SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS36101LFairchild (onsemi)
FDMS3620SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFNFDMS3610SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5/30A PWR56FDMS3606S MOSFairchild (onsemi)FDMS3624SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3604S MOSFairchild (onsemi)FDMS3606SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3612Fairchild (onsemi)FDMS3610SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3606SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56FDMS3606ASonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56FDMS3615SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56FDMS3622SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5/34A PWR56FDMS3604SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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