FDMC4D9P20X8の技術仕様
onsemi - FDMC4D9P20X8技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMC4D9P20X8仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.9mOhm @ 18A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.4W (Ta), 40W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10550 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 109 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Ta), 75A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDMC4 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMC4D9P20X8と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMC4D9P20X8 | FDMC610P | FDMC3612 | FDMC4435BZ-F126 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 基本製品番号 | FDMC4 | FDMC610 | - | FDMC4435 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.9mOhm @ 18A, 4.5V | 3.9mOhm @ 22A, 4.5V | 110mOhm @ 3.3A, 10V | 20mOhm @ 8.5A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Ta), 75A (Tc) | 80A (Tc) | 3.3A (Ta), 16A (Tc) | 8.5A (Ta), 18A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±12V | ±8V | ±20V | ±25V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10550 pF @ 10 V | 1250 pF @ 6 V | 880 pF @ 50 V | 2045 pF @ 15 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3) | Power33 | 8-MLP (3.3x3.3) | 8-MLP (3.3x3.3) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 6V, 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 109 nC @ 4.5 V | 99 nC @ 4.5 V | 21 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 2.4W (Ta), 40W (Tc) | 2.4W (Ta), 48W (Tc) | 2.3W (Ta), 35W (Tc) | 2.3W (Ta), 31W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 12 V | 100 V | 30 V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
FDMC4D9P20X8 - onsemiのFDMC4D9P20X8 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMC610PonsemiMOSFET P-CH 12V 80A POWER33FDMC3604ASFairchild (onsemi)FDMC3612Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET 10FDMC4435BE-F126AMI Semiconductor/onsemiFDMC510P MOSFairchild (onsemi)FDMC510P_F106ON/FSCFDMC4435BZ-F126onsemiMOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLPFDMC4436BZonsemiMOSFET P-CHFDMC5614PonsemiMOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLPFDMC510PXFairchild (onsemi)FDMC4435BZonsemiMOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLPFDMC6102LFairchild (onsemi)FDMC3612onsemiMOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLPFDMC4436BZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFDMC510P-F106onsemiMOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFNFDMC5614P MOSFairchild (onsemi)FDMC4435BZ MOSAMI Semiconductor/onsemiFDMC510PonsemiMOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。