FDI047AN08A0の技術仕様
onsemi - FDI047AN08A0技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDI047AN08A0仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.7mOhm @ 80A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 138 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 75 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDI047 |
右側の三つのパーツはonsemi FDI047AN08A0と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDI047AN08A0 | FDI3652 | FDI33N25TU | FDI33N25TU |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | 150W (Tc) | 235W (Tc) | 235W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.7mOhm @ 80A, 10V | 16mOhm @ 61A, 10V | 94mOhm @ 16.5A, 10V | 94mOhm @ 16.5A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6600 pF @ 25 V | 2880 pF @ 25 V | 2135 pF @ 25 V | 2135 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 138 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 9A (Ta), 61A (Tc) | 33A (Tc) | 33A (Tc) |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | UniFET™ | UniFET™ |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | FDI047 | FDI3652 | FDI33 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 75 V | 100 V | 250 V | 250 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 6V, 10V | 10V | 10V |
FDI047AN08A0 - onsemiのFDI047AN08A0 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDI030N06 MOSFairchild (onsemi)FDI3652onsemiMOSFET N-CH 100V 9A/61A I2PAKFDI33N25TUonsemiMOSFET N-CH 250V 33A I2PAKFDI33N25TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 33A I2PAKFDI2532onsemiMOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAKFDI047AN08A0 MOSFairchild (onsemi)FDI047AN08A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 75V 80A I2PAKFDI150N10onsemiMOSFET N-CH 100V 57A I2PAKFDI038AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAKFDI3632onsemiMOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAKFDI045N10AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3HUF76639S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 51A D2PAKFDI038AN06A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
STD80N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 40A DPAKFDI045N10A MOSFairchild (onsemi)FDC658PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDI040N06 MOSFairchild (onsemi)FDI045N10AonsemiMOSFET N-CH 100V 120A I2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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