画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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FDG6313N - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDG6313N
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDG6313N
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
- パッケージ
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- データシート
- FDG6313N.pdf
- 認定
- 在庫あり: 4260
FDG6313Nの技術仕様
onsemi - FDG6313N技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDG6313N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-88 (SC-70-6) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450mOhm @ 500mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 300mW | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.3nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 500mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FDG6313 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FDG6313Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDG6313N | FDG6304P | FDG6314P | FDG6316P |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.3nC @ 4.5V | 1.5nC @ 4.5V | - | 2.4nC @ 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V | 25V | 25V | 12V |
| シリーズ | - | - | - | PowerTrench® |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50pF @ 10V | 62pF @ 10V | - | 146pF @ 6V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 電力 - 最大 | 300mW | 300mW | - | 300mW |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450mOhm @ 500mA, 4.5V | 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V | - | 270mOhm @ 700mA, 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 500mA | 410mA | - | 700mA |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | - | 1.5V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) |
| 基本製品番号 | FDG6313 | FDG6304 | FDG6314 | FDG6316 |
FDG6313N - onsemiのFDG6313N PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDG6306P-NLFairchild (onsemi)FDG6304PonsemiMOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6FDG6314PonsemiMOSFET 2P-CH 25V SC70-6FDG6308P MOSFairchild (onsemi)FDG6316P MOSFairchild (onsemi)FDG6304P MOSFairchild (onsemi)FDG6316PonsemiMOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6FDG6313N-NLFairchild (onsemi)FDG6317NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6FDG6313NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDG6306P MOSFairchild (onsemi)FDG6313N/NLFairchild (onsemi)FDG6308P-NLFairchild (onsemi)FDG6313N MOSFairchild (onsemi)FDG6304P-NLFairchild (onsemi)FDG6308PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
FDG6316P-NLAMI Semiconductor/onsemiFDG6306PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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